L size: Size Chart | Imperial College Union

Balance Seat — Size L

Описание

1. Подушка для длительного сидения без отеков и дискомфорта с
2. инновационной конструкцией Veta-Gel
3. Международный патент находится на рассмотрении.
4. Запатентовано в Южной Корее.
5. Сертифицировано СЕ как медицинское устройство.
6. Зарегистрировано в F.D.A (США)
7. Официально рекомендовано Корейской ассоциацией хирургов неврологов.
8. Победитель премии дизайна Reddot Award 2016 / iF за дизайн в 2017 году.

Что такое Veta-Gel?

Это специальный высокоэластичный полимер созданный с использованием косметических масел по запатентованной технологии двухслойных сотовых структур (double-layers honeycomb) и обладающий 99.9% антибактериальной активностью.

Благодаря своей высокой эластичности и уникальным свойствам, Veta-Gel способен быстро восстанавливать свою форму и поглощать внешние механические воздействия и вибрацию.

C. Удобство и комфорт

Каждая ячейка Air-cellTM, при естественных движениях тела во время сидения, отводит нагретый телом воздух и создаёт приток свежего, обеспечивая тем самым удобство и комфорт. Для лучшей циркуляции воздуха подушка Balanceseat обтянута воздухопроницаемой тканью.

Veta-Gel обеспечивает антибактериальную защиту на 99,9%. Также его можно стирать, чтобы подушка всегда была чистая и нейтральная для кожи.

женские таблицы размеров | Тактика

Измерение:

• Грудь: Измерьте полную часть бюста.
• Рукава: Измерьте расстояние от основания шеи, через плечо, вниз по руке до слегка согнутого локтя и до запястья.
• Талия: Измерьте окружность в самой узкой части.
• Бедра: Измерьте положение по всей высоте, поставив ступни вместе.
• Шляпы: Измерьте вокруг самой большой части головы.
• Перчатки и митенки: На перчатках и рукавицах для взрослых окружность руки в дюймах равна размеру перчатки. Измерьте плоской рукой на суставах; не включайте большой палец.

Магазин женской одежды

0 9,5

Магазин женской обуви

Размеры унисекс:

Магазин Женские шапки и шапочки

Размеры перчаток и рукавиц:

Магазин Женские перчатки и рукавицы

| Таблица преобразования одежды и обуви

— ОДЕЖДА REGATTA & CRAGHOPPERS —

назад к верхний

назад наверх

обратно в начало

— НАРУЖНАЯ СЦЕНА / БОДЖ ОДЕЖДА —

назад наверх

назад наверх

назад наверх

— СПРЕЙНАЯ ОДЕЖДА —

назад наверх

назад наверх

— ТРЕСПАСС ОДЕЖДА —

назад наверх

назад наверх

назад наверх

назад наверх

— РАЗМЕРЫ ОБУВИ —

назад наверх

— РАЗМЕРЫ НОСОВ —

назад наверх

Примечание: 1 дюйм = 2.54 см, 1 фут = 30,48 см, 1 фут = 12 дюймов

назад наверх

Размеры перчаток и инструкции Мера

Чтобы определить размер вашей перчатки , вам понадобится измерительная лента . Поместите начало ленты на сустав указательного пальца и лента через другие суставы . Продолжайте перемещать ленту вокруг сторона ладони руки , пока лента не коснется точки, в которой вы получили началось .Осторожно сожмите кулак. Точка, где сейчас встречается лента, — это ваша размер перчатки.

Обычно женщины носят цифры размеров 6, 6 1/2, 7, 7 1/2, или 8 в коже стилей . Тканевые перчатки с высокой степенью растяжения например, satin и velvet — это размер « один размер для всех ». Другие стили ткани с умеренным растяжением, например, хлопок , и silk стили представлены двумя размерами (A и B) с подходящим числовым размером Size A размер руки 6 и 6 1/2 и Размер B подходит для размеров руки 7, 7 1/2 и 8 .

Перчатка из тонкой кожи должна плотно прилегать к руке и не мешать руке. Отлично, мягкая перчаточная кожа растягивается в руке. Здесь подходит фраза «». как перчатка «возникла! Снимая перчатку , никогда не тяните за манжету . Отогните запястье перчатки и аккуратно проведите ею по пальцам.

Информация предоставлена ​​’Finale Перчатки

£ 1,95 Доставка на следующий рабочий день по Великобритании * — Бесплатно для заказов на сумму более 50 фунтов стерлингов — Заказ до 15:00 — (* 2 рабочих дня для Хайленда, островов и Северной Ирландии)

— как выбрать между S, MS, M, MT, L, XXL и другими

XS, S, ST, MS, M, MT, MLS, ML, MLT, LS, LT, XLS, XLT, XXL, XXXL

Действительно ли существует 15 различных размеров гидрокостюмов? Ну и да, и нет, некоторые размеры, которые вы можете увидеть в списке выше, довольно редки.Но если вы встретите какие-либо из них — здесь вы можете найти объяснения, что означают эти буквы.

В отличие от обычной одежды, гидрокостюмы обычно продаются в маленьких, средних, больших или очень больших размерах (S, M, L, XL). Для этого есть две причины:

• они могут немного растягиваться, поэтому один размер подойдет разным людям, и
• они предназначены для очень плотного прилегания.

По мере того, как материалы, используемые в гидрокостюмах, были усовершенствованы, они смогли растянуться даже больше, чем раньше.Я пытаюсь сказать, что обычно у вас нет одежды обычных размеров с гидрокостюмами. Но как всегда не все так просто. В дополнение к этим стандартным размерам существуют другие размеры гидрокостюмов, которые используются многими брендами, поэтому, если вы встретите их, важно знать, что они означают. Однако имейте в виду, что это не стандартизированная таблица размеров, используемая в отрасли. У каждой компании могут быть небольшие различия в размерах, но приведенная ниже информация должна помочь вам выбрать следующий гидрокостюм, чтобы он подходил правильно.

Прежде чем мы перейдем к объяснению размеров гидрокостюма, еще несколько советов по подбору размеров гидрокостюма, которые могут пригодиться, если вы новичок:

• Гидрокостюм должен быть уютным, даже немного тесным. Но это не должно заставлять вас наклоняться.
• После того, как вы его надели, приседайте, наклоняйтесь, прыгайте и двигайте руками. Посмотрите, есть ли явное ограничение движений или слишком короткие рукава.
• Также — если тебе трудно дышать то ДА, гидрокостюм маловат :).
• Первый признак того, что гидрокостюм слишком велик, — это разрыв между гидрокостюмом и телом на спине чуть выше спины. Из-за изгиба спины это первое место, где можно увидеть, насколько большой гидрокостюм. Но небольшая комната — это нормально, трудно найти идеальный вариант.

Размеры гидрокостюмов от самых маленьких до самых больших

Extra Small (XS)

Обычно они бывают детских размеров, но иногда вы можете получить «взрослый» гидрокостюм XS, который предназначен для маленьких и маленьких людей.

Small (S)

Это довольно популярный вариант гидрокостюмов. Это для людей невысокого роста и совсем не полных.

Маленький высокий (ST)

Для высоких и худых людей это находка, если ваш рост около 5 футов 11 дюймов (180 см) и весит около 147 фунтов (67 кг), то этот подойдет вам идеально. Не все бренды имеют такой размер.

Medium Short (MS)

MS предназначен для людей ниже среднего роста, но с большей формой тела. Если вам нужно сбросить несколько лишних килограммов или вы тренируетесь и у вас мышцы больше среднего, Medium Short, вероятно, подойдет вам.

Medium (M)

Стандарт для людей среднего роста и веса. Как видите, я не привожу никаких цифр роста и веса, так как размер M одного бренда может отличаться от размера M другого бренда, но поскольку средний размер находится где-то посередине, это хорошая точка ориентации. Таким образом, обычно M подходит для людей ростом от 5’9 ″ -5’11 дюймов (175–180 см) и от 150–160 фунтов (65–72 кг) со средней формой тела.

Medium Tall (MT)

Для тех, кто достаточно высокий и худощавый, средний рост — правильный выбор.Это означает тот же вес, что и средний, но с более длинными руками и ногами.

Medium Large Short (MLS)

Не так уж много производителей гидрокостюмов предлагают этот необычный вариант. Он идеально подходит для людей, которые довольно тяжелы, но ниже среднего роста.

Medium Large (ML)

Если вы среднего роста, но сложены немного тяжелее или сильнее обычного, то эта модель для вас. По сути, это противоположность среднему росту.

Medium Large Tall (MLT)

Нет существенной разницы между этим размером и стандартным большим гидрокостюмом.Это хорошо для более высоких людей, которые к тому же немного крупнее обычного. Это не очень распространенный размер и не используется большинством производителей.

Большой короткий (LS)

Если у вас большая форма тела и средний рост, возможно, вам подойдет этот размер гидрокостюма. Он очень похож на стандартный большой, за исключением того, что немного короче.

Большой (L)

Это типичный гидрокостюм большого размера для людей, которые выше и крупнее среднего.

Large Tall (LT)

Для тех, кто немного выше среднего и худощав, большой рост — правильный выбор.

Очень большой короткий (XLS)

Очень большой короткий размер предназначен для тех, кто меньше, чем очень большой размер, но при этом имеет большую или сильную форму тела.

Extra Large (XL)

Для высоких и крупных это стандарт.

Extra Large Tall (XLT)

Если вы очень высоки и слишком худы для гидрокостюма размера XXL, этот может идеально подойти.

Extra Extra Large (XXL)

Для очень высоких людей с очень крупным телосложением.

Extra Extra Extra Large (XXXL)

XXXL — это самый большой размер, который в большинстве случаев можно найти без индивидуального заказа. Это для людей с очень высоким и крупным типом телосложения. Это не очень распространенный размер, и его производят всего несколько компаний.

Таблица размеров — Miss L Fire Inc

Вся обувь Miss L Fire продается в европейских размерах и соответствует «размеру ЕС», если не указано иное.

Пожалуйста, проверьте таблицу ниже, чтобы убедиться, что вы заказываете нужный размер.
Если у вас есть вопросы о размерах, напишите по адресу [email protected], и мы сделаем все возможное, чтобы помочь вам, прежде чем вы разместите свой заказ.

Для получения дополнительной информации ознакомьтесь также с нашим сообщением в блоге о том, как измерить ногу!

МЕЖДУ РАЗМЕРАМИ? Вам стоит выбрать больший размер и добавить половину стельки!

Следующие ниже размеры указывают приблизительную длину стельки и ширину каждого продаваемого нами размера.

Обратите внимание, что это РУКОВОДСТВО, и вам нужно будет решить, какой набор измерений в среднем ближе всего к измерениям вашей стопы.

ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ДЛИНЫ СТОПЫ
Встаньте на лист бумаги и проведите вокруг ступни.
Возьмите линейку и измерьте длину от середины пятки до конца самого длинного пальца ноги.

ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ШИРИНЫ СТОПЫ
Возьмите гибкую рулетку и измерьте ВОКРУГ ширины стопы в самом широком месте (обычно это сустав большого пальца ноги).

Большие искажения решетки и зависящая от размера модуляция запрещенной зоны в эпитаксиальных галогенидных перовскитных нанопроволоках

Поверхностно-управляемые нанопроволоки CsPbBr

Произведен рост из паровой фазы поверхностно-направленных CsPbBr ₃ нанопроволок на трех сапфировых нитях. -зонная трубчатая печь, как описано в разделе «Методы» ⁸ .Для простоты мы выбрали нанопроволоки CsPbBr ₃ , которые растут на плоской подложке, в частности на плоском сапфире C-плоскости. В результате некаталитического роста образуются почти исключительно горизонтально ориентированные нанопровода и микропровода, которые растут вдоль шести изопериодических направлений A \ (\ pm <11 \ bar 20> \) сапфировой подложки, что отражает ее симметрию (рис. 1а и дополнительный рис. 1). Типичная длина нанопроволок составляет несколько десятков микрон. Нанопроволоки имеют треугольное поперечное сечение, так что высота типичной нанопроволоки составляет примерно половину ее ширины.Хотя некоторый контроль над длиной и высотой нанопроволок может быть достигнут путем тщательной оптимизации времени и условий роста, их высота может значительно варьироваться от 10 нм до нескольких микрон. Эпитаксиальное выравнивание и изменение высоты можно увидеть на рис. 1e. Также могут быть получены конические нанопроволоки с градиентом высоты вдоль оси роста. Как можно видеть с помощью АСМ 3D и 2D изображений на рис.1f, g, высота этой нанопроволоки уменьшается с ~ 200 нм до ~ 10 нм почти линейно по всей длине нанопроволоки 33 мкм (дополнительный рис.2) с градиентом примерно 6 нм на каждый микрон. Этот градиент высоты можно использовать для эффективного непрерывного измерения зависящих от высоты оптических и структурных свойств в широком диапазоне высот в пределах одной нанопроволоки с использованием методов с пространственным разрешением.

( a ) Оптическое фотолюминесцентное изображение поверхностно-управляемых нанопроволок и микропроводов, излучающих зеленую люминесценцию во время возбуждения в широком поле синим лазером (405 нм).Направления роста нанопроволок на сапфировой подложке отмечены синими индексами и векторами. ( b ) Поперечное сечение изображения STEM HAADF с атомным разрешением, полученное в направлении обзора сапфировой подложки в направлении \ ([11 \ bar 20] \). Наложение атомистической модели показывает положения атомов, которые связаны с яркими точками на изображении HAADF. Детальный вид атомной модели ( c ) поперек и ( d ) вдоль оси роста нанопроволок. Желтыми прямоугольниками отмечен период повтора (см. Также дополнительный рис.1, где показаны эпитаксиальные соотношения сверху). e СЭМ-изображение нанопроволок с сильно различающейся высотой. ( f — g ) Типичная коническая нанопроволока с градиентом высоты отображается на 3D ( f ) и 2D ( g ) изображениях АСМ. ( h ) ПЭМ-изображение и элементарная карта EDS типичного треугольного поперечного сечения. ( i ) Иллюстрация формы, граней и направления роста CsPbBr ₃ поверхностно-управляемых нанопроволок.

Для получения изображений и анализа просвечивающим электронным микроскопом тонкие пластинки в поперечном сечении были вырезаны с использованием микроскопа с фокусированным ионным пучком (FIB).Особое внимание было уделено тому, чтобы дозы облучения пучком и время воздействия были минимизированы, чтобы предотвратить вызванные пучком повреждения или структурные искажения, которые в противном случае могли бы повлиять на первоначальные свойства решетки во время визуализации и анализа (подробности см. В разделе «Методы»). Четкая форма равнобедренного прямоугольного треугольника в поперечном сечении нанопроволок CsPbBr ₃ отчетливо видна на рис. 1h, а картирование с помощью рентгеновской спектроскопии с дисперсией по энергии (EDS) показывает, что элементы Cs, Pb и Br с ожидаемыми ~ Атомное соотношение 1: 1: 3, равномерно распределены по поперечному сечению (см. Дополнительный рис.3 для подробностей). Нанопроволоки растут в кубической фазе как треугольные призмы с осью роста [001]. Плоскость (110) параллельна плоскости (0001) сапфира, а грани (100) и (010) открыты для газовой фазы. Форма, грани и направление роста нанопроволок CsPbBr ₃ показаны на рис. 1i.

Наложение объемных атомистических моделей сапфира и CsPbBr ₃ на высокоугловое кольцевое темнопольное изображение (HAADF) STEM с атомным разрешением типичного поперечного сечения нанопроволоки указывает на соразмерный эпитаксиальный рост (рис.1б – г). Положения наложенных атомов с использованием параметров объемной решетки в качестве эталона связаны с яркими точками на изображении HAADF. Хотя мы не смогли атомарно разрешить всю поверхность раздела сапфир-CsPbBr ₃ , изображение STEM вместе с наложенными атомами в направлении обзора сапфировой подложки в направлении \ ([11 \ bar 20] \) дает подробное представление об атомной модели. и выявить эпитаксиальные отношения при росте плоскости CsPbBr ₃ (110) на плоскости сапфира (0001).Совпадающие векторы повторяющегося периода решетки выделены желтыми прямоугольниками, поскольку вектор \ ([1 \ bar 10] \) CsPbBr ₃ совпадает с вектором \ ([\ bar 1100] \) в решетке сапфира в соотношении 1: 1. коэффициент решетки, что дает рассогласование + 0,7% (рис. 1в). Основываясь на этом эпитаксиальном соотношении, можно предположить, что соразмерная решетка формируется вдоль нанопроволоки в ортогональном \ ([\ bar 1100] \) направлении обзора (рис. 1d). Здесь вектор [001] CsPbBr ₃ совпадает с вектором сапфира \ ([11 \ bar 20] \) в соотношении решеток 4: 5, а рассогласование равно -1.3%. В дополнение к анализу ПЭМ, существование кубической фазы CsPbBr ₃ при комнатной температуре было подтверждено измерениями XRD, выполненными на уже выращенных нанопроволоках CsPbBr ₃ ⁸ с управляемой поверхностью.

Зависящий от размера сдвиг спектра излучения

Голубой сдвиг излучения, зависящий от высоты, можно исследовать как на уровне ансамбля, так и на уровне отдельных нанопроволок. Либо ансамбль неконусных нанопроволок с разной высотой, либо одиночный конический нанопроволоку с градиентом высоты вдоль оси роста.Мы используем два спектроскопических метода, основанных на микроскопии, для исследования эмиссионных свойств поверхностно-направленных нанопроволок с пространственным разрешением: оптическое возбуждение с различными энергиями возбуждения при измерениях ФЛ, дающее пространственно разрешенные спектры возбуждения и излучения ФЛ, и возбуждение высокоэнергетическим электронным пучком, обеспечивающее измерения SEM-CL с высоким пространственным разрешением.

ФЛ были измерены с использованием самодельной установки для микроскопии ФЛ с использованием возбуждения непрерывной волной (CW) 458 нм и длиннопроходного фильтра для захвата всех спектров излучения (подробности см. На дополнительном рис.4 и методы). В отличие от конфокального получения изображения точечным сканированием, мы используем широкопольное возбуждение, которое возбуждает ФЛ по всей нанопроволоке или ансамблю нанопроволок. Таким образом, мы можем получать спектры излучения одновременно для каждой точки вдоль нанопроволоки с пространственным разрешением ~ 500 нм и спектральным разрешением 2,1 нм. На рис. 2а показаны спектры ФЛ ансамбля нанопроволок CsPbBr ₃ разной высоты. Спектры соответствуют излучению, усредненному по области в центре зондируемой нанопроволоки.

( a ) Спектры ФЛ нанопроволок разной высоты (указаны на рисунке) при возбуждении на длине волны 458 нм. Монохроматические изображения SEM-CL ансамбля нанопроволок с различной высотой: ( b ) SEM-изображение и ( c — e ) CL монохроматические изображения, полученные путем сбора излучаемого света, в частности, при 480, 490 и 500 нм, отображение распределения длины волны излучения нанопроволок.Спектроскопия КЛ с пространственным разрешением на одной конической нанопроволоке: ( f ) изображение SEM, ( g ) карта CL, ( h ) извлеченная карта длины волны пика излучения с ее цветовой шкалой справа и ( i ) истинную цветовую карту RGB, рассчитанную на основе подобранного пика излучения, отображающего изменяющуюся длину волны излучения, от зеленого до синего, с уменьшающейся высотой сужающейся нанопроволоки.

Учитывая рассчитанный радиус экситона Бора 7,5 нм для CsPbBr ₃ ⁴⁷ , размеры исследованных нанопроволок выходят далеко за рамки режима квантового ограничения.Тем не менее, при уменьшении высоты нанопроволоки с ~ 400 до ~ 100 нм наблюдается значительный синий сдвиг излучения от ~ 525 до ~ 490 нм (от ~ 2,36 эВ до ~ 2,53 эВ), в то время как полная ширина на полувысоте (FWHM) остается довольно постоянна при ~ 0,12 эВ (рис. 2а и дополнительный рис. 5). Эти измерения не сравниваются напрямую с объемным CsPbBr ₃ PL из-за внутренних различий между автономной орторомбической объемной системой CsPbBr ₃ и этими кубическими нанопроволоками с поверхностной связью. Однако мы исследовали поведение излучения горизонтальных нанопроволок CsPbBr ₃ разной высоты, выращенных на аморфной подложке SiO ₂ , и не обнаружили явной зависимости от высоты (дополнительный рис.6). Тот факт, что зависящий от высоты спектральный сдвиг наблюдается для эпитаксиальных нанопроволок CsPbBr ₃ , выращенных на монокристаллическом сапфире, но не при выращивании нанопроволок на аморфной подложке SiO ₂ , предполагает, что синий сдвиг излучения связан с взаимодействие между нанопроводами и подложкой. Это сравнение убедительно подтверждает приписывание спектрального сдвига, зависящего от размера, гетероэпитаксиальной деформации, о чем мы подробнее расскажем с дополнительными данными.

Для получения спектров с более высоким пространственным разрешением мы использовали систему Gatan MonoCL Elite, которая установлена ​​в Zeiss GeminiSEM 500, SEM высокого разрешения для проведения измерений SEM-CL.Во-первых, SEM-изображение и три CL-изображения в монохроматическом режиме были сгенерированы путем сбора излучаемого света на определенных длинах волн с использованием высокочувствительной фотоэлектронной умножителя (рис. 2 (b – e)). Монохроматические изображения КЛ были получены при 480, 490 и 500 нм. Таким образом, ансамбль нанопроволок можно различить на изображениях по соответствующим длинам волн излучения. Изображение 480 нм (рис. 2c) показывает только две нанопроволоки с высотой 20–80 нм, которые излучают на ~ 480 нм, тогда как многие нанопроволоки, а также другие наноструктуры с высотой от 100 до 300 нм излучают на ~ 500 нм и поэтому видны на изображении 500 нм (рис.2д). Эти монохроматические изображения показывают, что возбуждение электронным пучком создает такое же различие между излучением малых и больших нанопроволок, что и при оптическом возбуждении.

Затем мы использовали высокое пространственное разрешение SEM-CL, чтобы проследить излучение вдоль единственной конической нанопроволоки с градиентом высоты (рис. 2 (f – i)). Исследуемая коническая нанопроволока имеет длину ~ 16 мкм (рис. 2е) и содержит два режима сужения. Начиная с толстого конца, его высота начинается с максимального значения 260 нм и практически не изменяется в течение первых ~ 5 мкм, после чего следует быстрое уменьшение по направлению к более тонкому краю до ~ 80 нм.Карта CL нанопроволоки создается путем возбуждения нанопроволоки электронным пучком и направления испускаемого света на монохроматор и ПЗС параллельно. Спектр CL (450–520 нм) генерируется для каждой области 100 нм ² пикселей, а интегральная интенсивность пика излучения для пикселей создает контраст в градациях серого на карте на рис. 2g. Затем гауссиан подгоняется к пику излучения в каждой позиции пикселя, и извлеченная длина волны пика излучения отображается с использованием таблицы ложных цветов в диапазоне от 480 до 520 нм.Это создает карту длины волны пика излучения (рис. 2h). Затем подобранный гауссиан используется для определения реальных компонентов RGB излучения и вычисляется изображение RGB с истинным цветом (рис. 2i). Из этих измерений четко прослеживается тенденция перехода от зеленого к синему с уменьшением высоты нанопроволоки, когда длина волны пика излучения смещается от 504 нм (~ 2,46 эВ) на толстом краю до 490 нм (~ 2,53 эВ) рядом с тонким краем. край. Дополнительная информация, включая качество посадки и значение FWHM, которое коррелирует с толщиной проволоки и уменьшается с 0.От 12 эВ на толстом крае до 0,09 эВ на тонком, можно найти на дополнительном рисунке 7.

Зависимое от размера начало поглощения и излучения

Чтобы оценить, является ли сдвиг излучения результатом чисто оптического эффекта , например, реабсорбция фотонов ^4,48 или фактическая модуляция запрещенной зоны, мы исследуем оптические свойства нанопроволок, используя комбинацию спектроскопии возбуждения и излучения с пространственным разрешением. В этой конфигурации возбуждения спектральный синий сдвиг в начале излучения отражает способность нанопроволок поглощать свет с разными длинами волн.Ансамбль поверхностно-управляемых нанопроволок CsPbBr ₃ разной высоты использовался в эксперименте по возбуждению в широком поле. Когда ансамбль нанопроволок возбуждается непрерывным лазером с длиной волны 514 нм, свет излучают только относительно толстые структуры. Однако, когда один и тот же ансамбль возбуждается непрерывным лазером с длиной волны 458 нм, как тонкие, так и толстые структуры излучают (рис. 3а). Отсюда следует, что начало спектров возбуждения сдвигается в синий цвет с уменьшением высоты (толщины) нанопроволок таким же образом, как и максимум пика излучения, что фактически означает, что более тонкие нанопроволоки имеют более высокие энергии запрещенной зоны, чем более толстые нанопроволоки.

( a ) Ансамбль поверхностно-направленных нанопроволок CsPbBr ₃ с разной высотой, с изображениями, показывающими темнопольное изображение и изображения PL с возбуждением 514 и 458 нм. ( b ) Спектры ВФЭ структур разной высоты. Цвета линий соотносятся с высотами, указанными теми же цветами на передаваемом изображении справа от графика.Можно наблюдать синий сдвиг начала возбуждения излучения (внезапный рост интенсивности ФЛЭ при уменьшении длины волны возбуждения) с уменьшением высоты. ( c ) Нормализованные карты PL и PLE одной конической нанопроволоки коррелировали с ее высотой в каждой позиции. И длина волны пика излучения (карта PL), и длина волны начала излучения (карта PLE) показывают согласованные голубые сдвиги с уменьшением высоты нанопроволоки.

Чтобы подробно изучить начало излучения в зависимости от длины волны возбуждения, мы провели эксперименты по микроскопии возбуждения ФЛ (PLExMic) на ансамбле нанопроволок различной высоты.Источник света суперконтинуума использовался для сканирования длины волны возбуждения от 530 до 450 нм, собирая излучаемый свет из низкоэнергетического хвоста излучения (подробности на дополнительном рисунке 4). Используя эту спектроскопическую установку, мы измерили начало излучения от полосы к полосе, которое, согласно теории полос полупроводников, соответствует началу поглощения. Таким образом, мы эффективно получаем информацию об абсорбционных свойствах нанопроволок. Зависящий от высоты сдвиг начала эмиссии можно наблюдать для ансамбля нанопроволок с разной высотой и для одиночной нанопроволоки с градиентом высоты (рис.3б, в). Мы выбрали четыре структуры с сильно различающейся высотой (рис. 3б) и собрали их спектры ВФЭ. Спектры возбуждения смещаются в синий цвет от ~ 525 нм до ~ 500 нм с уменьшением высоты от 881 до 190 нм, что полностью согласуется с тенденцией, которую мы наблюдаем для пика излучения. Мы также смогли продемонстрировать полный набор данных позиционно-зависимых спектров PLE и PL вдоль одной сужающейся нанопроволоки, показанной на рис. 3c, где начало излучения (PLE) и длина волны пика излучения (PL) могут быть коррелированы с высотой нанопроволоки в каждой точке вдоль ее оси роста.Дополнительные аспекты измерений PL и PLE и тот факт, что оба набора данных отражают одну и ту же тенденцию от высоты к длине волны, предоставляют убедительные экспериментальные доказательства того, что мы наблюдаем модуляцию ширины запрещенной зоны, зависящую от высоты.

Прямое свидетельство необычных искажений решетки

Как обсуждалось ранее, в системах MHP несколько раз сообщалось о зависимом от размера сдвиге излучения. До нашего отчета изменение эмиссии в зависимости от размера наблюдалось как в пластинках MAPbI ₃ , так и в поликристаллических тонких пленках ^35,36,49 .Сдвиг эмиссии в системе тромбоцитов был рационализирован с точки зрения эффекта ограничения поверхности, который генерирует эффективные потенциальные ямы, которые меньше фактического размера наноструктуры ³⁶ . Для поликристаллических тонких пленок сдвиг был связан с деформацией, вызванной подложкой, или напряжением связи Pb – I. Недавно аналогичный аномальный синий сдвиг эмиссии наблюдался также в пластинках CsPbBr ₃ , которые были выращены на подложке из слюды ³⁷ . В последней работе, подтвержденной расчетами по теории функционала плотности (DFT), авторы предположили, что накопленная деформация из-за нетривиальной силы ван-дер-ваальсова эпитаксиального взаимодействия вызывает сдвиг излучения.Большинство этих отчетов указывают на структурные эффекты как на источник сдвига выбросов. Однако они не дают прямых экспериментальных доказательств структуры решетки. Визуализация решетки с атомным разрешением может обеспечить такую ​​корреляцию между атомной структурой и модуляцией запрещенной зоны, которую мы наблюдаем.

Обычно используемые объяснения оптической модуляции запрещенной зоны, такие как квантовое ограничение, квантовое ограничение, вызванное поверхностью, тепловое расширение и эффект Бурштейна-Мосса (BM), были рассмотрены, но оказались несовместимыми с нашими наблюдениями ⁸ .Здесь мы также предоставляем спектроскопические доказательства того, что реабсорбция фотонов не является основным фактором синего смещения спектрального излучения. Поскольку структурные явления, такие как деформация решетки и искажения или дисперсия фазы или состава, ранее сообщалось как экспериментально, так и теоретически для модуляции ширины запрещенной зоны в MHP ^{50,51,52,53,54} , мы решили тщательно изучить кристаллическую структуру и состав. поверхностно-управляемых нанопроволок CsPbBr ₃ , чтобы определить их роль в наблюдаемой модуляции запрещенной зоны.Для этой цели мы использовали методы STEM с высоким разрешением для проверки в атомном масштабе структурных или композиционных изменений в наших нанопроволоках, которые могут привести к наблюдаемой модуляции запрещенной зоны.

Для проведения ПЭМ-визуализации и анализа мы приготовили пластинки поперечного сечения ФИП из четырех нанопроволок высотой от 35 до 220 нм. Как обсуждалось ранее, картирование EDS (рис. 1e и дополнительный рис. 3) и анализ показывают ожидаемое стехиометрическое соотношение и равномерное распределение элементов.Таким образом, наши результаты не подтверждают, что дисперсия состава является причиной модуляции запрещенной зоны, по крайней мере, в пределах 3% предела обнаружения нашего прибора. На изображениях STEM при большом увеличении видны некоторые повреждения луча, которые отчетливо видны в виде периодических светлых контрастных пятен. Однако решетка высококачественного монокристалла в целом остается нетронутой, что можно увидеть при большом увеличении, где четко видна кубическая решетка (рис. 4a). Фактически, сканирование по всему сечению не обнаружило видимых протяженных дефектов.

( a ) Изображение с большим увеличением, отображающее решетку монокристалла CsPbBr ₃ . (b ) Анализ дифракции электронов с нанолучевым сканированием (SED или 4D-STEM), ПЭМ-изображение, наложенное на фактические дифракционные картины, полученные в каждой позиции поперечного сечения нанопроволоки. Одна типичная дифракционная картина увеличена на вставке.Для каждого поперечного сечения нанопроволоки: ( c ) карта относительного вращения обратной решетки в плоскости и вне плоскости и ( d ) карта относительного расстояния обратной решетки. ( e ) Схематическая модель, которая иллюстрирует искажение кубической решетки в реальном пространстве в соответствии с тенденциями, обнаруженными в анализе SED для направления в плоскости: вращение решетки (Δ ϕ ) и увеличенные расстояния около подложки ( Δ d ). ( f ) Профили линий вдоль черных и зеленых стрелок, указанных в ( c ), разницы между решетками в реальном пространстве (Δ d ) и относительного поворота решетки (Δ ϕ ).Исходные данные представлены в виде файла исходных данных.

Чтобы исследовать вариации решетки в поперечном сечении, мы использовали сканирующую дифракцию электронов на нанолуче (SED или 4D-STEM). Электронный пучок диаметром 3–10 нм сканировался в прямоугольной растровой рамке по всей нанопроволоке, собирая двумерную дифракционную картину при пропускании в каждой позиции растра (рис. 4b и дополнительные рисунки 8, 9). Этот набор данных дифракции 4D-STEM был проанализирован на предмет расстояний обратной решетки и углов поворота плоскостей решетки CsPbBr ₃ в плоскости и вне плоскости.На рис. 4c, d и на дополнительном рис. 8 показаны карты обратного угла поворота относительно подложки и расстояний между решетками относительно соответствующих объемных значений, параллельно (вне плоскости) и перпендикулярно (в плоскости) подложке поперек всю нанопроволоку. Качественно мы видим аналогичные тенденции в искажении решетки толстых и тонких нанопроволок. Карты обратного вращения показывают вращение решетки в плоскости и вне плоскости (Δ ϕ ) во всех проанализированных поперечных сечениях нанопроволоки (рис.4c и дополнительный рис. 9). Карты расстояний обратной решетки не показывают отчетливой тенденции в отношении расстояния между решетками вне плоскости, в то время как карты в плоскости показывают, что расстояние обратной решетки меньше на границе раздела и становится больше к вершине треугольного поперечного сечения. (Рис. 4d). Это приводит к увеличению шага решетки в реальном пространстве вблизи границы раздела (Δ d ), что указывает на деформацию растяжения, вызванную гетероэпитаксией. В то время как нет очевидной тенденции в отклонениях от плоскости решетки от границы раздела до вершины, межплоскостные промежутки между решетками имеют уменьшающиеся значения.Это расширение решетки имеет тенденцию проникать дальше в поперечное сечение больших нанопроволок по сравнению с маленькими нанопроволочками (дополнительный рис. 9). В целом, тенденции, наблюдаемые в направлении в плоскости, могут быть отражены в схематической модели, которая сочетает в себе вращение решетки в реальном пространстве и расширенные промежутки около подложки, которые сужаются к вершине (рис. 4e).

Чтобы рассмотреть эти тенденции более количественно, мы также рассчитали профили линий разности параметров решетки в реальном и внеплоскостном пространстве (Δ d ) и относительные углы поворота решетки (Δ ϕ ).Профили линий были сняты в направлениях, обозначенных черной и зеленой стрелками для нанопроволоки, представленной на рис. 4c, и построены на рис. 4f. Межплоскостные интервалы решетки расширяются вблизи границы раздела (~ 4,20 Å) и линейно уменьшаются до ~ 4,15 Å вблизи вершины, где параметр решетки аналогичен параметру объемной (110) плоскости кубического CsPbBr _{. 3} ⁵⁵ . Что еще более поразительно, как в плоскости, так и вне плоскости решетка линейно поворачивается более чем на 1 ° каждые 100 нм.Чтобы оценить искажения решетки для нанопроволок с разной высотой, мы извлекаем профили линий для всех четырех нанопроволок с высотой от 34 до 219 нм (дополнительный рис. 10). Мы определяем градиент параметра решетки как изменение параметра решетки (Δ d ) для единичной длины, а аналогично градиент поворота решетки как изменение угла поворота для единичной длины. Эти градиенты, по-видимому, увеличиваются по мере уменьшения высоты нанопроволок, и для более тонких нанопроволок наблюдаются очень сильные повороты решетки.В одном случае регистрируется поворот на 3,5 ° на ~ 80 нм. Для дальнейшего дополнительного обсуждения и данных см. Дополнительные рисунки 9–10.

После наблюдения этого необычного искажения решетки с пределом разрешения 5–10 нм, мы использовали ультрасовременный STEM с коррекцией аберраций для разрешения деформации на атомном уровне, как показано на рис. 5. Большая площадь и STEM-изображение высокого разрешения (рис. 5a) было получено для анализа деформации решетки всего поперечного сечения с использованием геометрического фазового анализа (GPA).Множественные изображения с большим увеличением были также сделаны в различных местах поперечного сечения (дополнительный рис. 11). Квазинепрерывное вращение решетки можно наблюдать в быстром преобразовании Фурье (БПФ) всего изображения поперечного сечения (рис. 5b), поскольку вместо одиночных пиков наблюдаются дуги для расстояний между решетками, которые соответствуют кристаллу перовскита (зеленый). , тогда как для расстояний, соответствующих сапфировой подложке, мы наблюдаем ожидаемые одиночные острые пики (синие). Дуга указывает на поворот решетки на ~ 4 °, что немного выше значения, измеренного с помощью измерений SED.Эти различия, вероятно, возникают из-за различий в разрешающей способности этих двух методов. С помощью GPA мы генерируем карту вращения решетки (рис. 5d), которая подчеркивает непрерывное вращение решетки слева направо. Такое поведение решетки напоминает плоский изгиб, который представляет собой механизм снятия упругого напряжения, который, как известно, возникает в некоторых системах из-за деформации, индуцированной гетероэпитаксиальной связью ⁵⁶ . Однако плоский изгиб обычно гораздо более локализован на дефектах решетки и не распространяется однородно по всему поперечному сечению, что отражено на картах вращения и деформации решетки (рис.5д, е) ^27,56 . О более сопоставимом поведении решетки недавно сообщили Tang et al. в многослойном оксидном перовските BiFeO ₃ \ LaALO ₃ наноструктура ⁵⁷ . Они наблюдали гигантские повороты решетки на ~ 4 ° по длине 70 нм, которые происходят из массивов дислокаций на границе с подложкой в ​​соответствии с концепцией частичной дисклинации. Мы не смогли атомарно разрешить границу раздела сапфир и CsPbBr ₃ (дополнительный рис. 11) и, следовательно, не смогли наблюдать межфазные дефекты, такие как дислокации несоответствия.Однако удивительно похожее поведение решетки и почти идентичная величина поворота решетки, наблюдаемая Тангом и др. может означать, что массив дислокаций несоответствия действительно существует на границе CsPbBr ₃ – сапфир и вызывает непрерывное вращение решетки, которое мы наблюдаем.

( a ) STEM-изображение всего поперечного сечения с большим полем обзора и высоким разрешением.( b ) Быстрое преобразование Фурье всего поперечного сечения, обнаруживающее дуги вместо пятен для расстояний CsPbBr ₃ (зеленый) и острые одиночные пятна для сапфировых промежутков (синий). ( c ) Изображение решетки CsPbBr ₃ с большим увеличением. ( d ) GPA сгенерировал карту вращения решетки и карты для деформации в плоскости ( e ), вне плоскости ( f ) и общей ( g ) деформации.

Существование этого необычного механизма снятия упругого напряжения хорошо сочетается с мягкостью и динамичностью MHP ^58,59 .Однако во время нашего анализа изображений TEM / STEM мы также иногда наблюдали пики FFT, которые соответствуют расстояниям решетки, которые соответствуют половине элементарной ячейки (дополнительный рис. 10), для которых мы не могли однозначно определить происхождение. Следовательно, следует учитывать и другие структурные модели, в том числе ту, которая предполагает сосуществование подобластей и динамических вращений октаэдров в наноструктурах, которые кажутся монокристаллическими ⁵⁹ . Источником этих добавленных пиков, скорее всего, являются границы противофазных доменов, фазы Раддлсдена-Поппера или нанодвойники ^59,60,61 , однако, учитывая, что искажение решетки вызывает нарушение симметрии, что также может сыграть роль в этом наблюдении, в дальнейшем необходимо исследование, чтобы определить природу этого наблюдения.

Таблица размеров для женщин | Руководство по женским размерам | L.L.Bean для бизнеса

Наша группа специалистов по подгонке работает с производителями по всему миру, чтобы обеспечить постоянный размер зерен L.L. Используйте приведенные здесь диаграммы, чтобы определить свой размер, а затем уверенно заказывайте.

Обычные размеры женского тела (в дюймах)

Размеры женского тела Plus (в дюймах)

Как измерить: женский

Длина

Держа руку расслабленной и слегка согнутой, измерьте расстояние от центра шеи до точки плеча, вниз по внешней стороне руки до запястья.

Грудь / Бюст

Измерьте объем груди по всей длине бюста.

Талия

Измерьте размер по естественной линии талии.

Бедра / сиденье

Измерьте положение сиденья по самой полной точке, стоя.

Таблица размеров обуви L’Amour — Babychelle

Обратите внимание, что для обуви L’Amour, если ваш ребенок носит половинный размер, возьмите * следующую половину размера * до . Например, если ваш ребенок носит размер 4.5, затем выберите размер 5. (Обувь L’Amour идет только в полных размерах).

* Все таблицы размеров отражают длину подошвы обуви , а не длину стопы .

При выборе размера обратите внимание, что длина стельки должна быть не меньше длины стопы вашего ребенка и должна быть немного длиннее стопы, чтобы было пространство для маневра и подходящая обувь.

Например, если у вашего ребенка ступня 5 дюймов, то мы рекомендуем выбрать размер, длина подошвы которого, по крайней мере, немного больше 5 дюймов, чтобы обувь подходила (и для стопы было немного места для маневра). .

Стили с индивидуальным размером будут иметь свои собственные таблицы размеров на странице продукта.

Таблица размеров младенцев L’Amour (0-12 месяцев)

Обратите внимание, что таблица размеров относится к длине подошвы (внутренняя часть обуви).